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技術(shù)編號：6898962

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本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種具內(nèi) 埋式靜電防護(hù)功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)請參閱圖1所示，其為現(xiàn)有具有靜電防護(hù)(Electro-Static Discharge, ESD) 功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。由圖中可知，現(xiàn)有的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)包括 一基底結(jié)構(gòu)(substrate structure) 1、至少一設(shè)置于該基 底結(jié)構(gòu)1上端的發(fā)光二極管(LED) 2、 一靜電防護(hù)裝置(ESD dev...
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