技術(shù)編號：6899878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，更確切地說，涉及利用溝槽作為柵極(以溝槽作為柵極的)功率MOSFET。背景技術(shù) 電子行業(yè)已經(jīng)表現(xiàn)出對具有低接通電阻(RDSon)、大旁路電壓(VDSBR)、低柵極電荷和足夠強度的小型離散功率MOSFET的大量需求。強度限定設備的安全工作區(qū)域(SOA)和松開電感轉(zhuǎn)換(UIS)。通過最優(yōu)組合以上特性，能夠獲得非常低的開態(tài)功率損耗以及開關(guān)損耗，導致諸如DC-DC轉(zhuǎn)換器之類的系統(tǒng)中高功率轉(zhuǎn)換效率。為了滿足以上需求，人們開發(fā)出超密度利用溝槽作為...
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