技術(shù)編號：6899886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件及其制造技術(shù)，特別是涉及可有效適用于具有將氮化膜作為電荷存儲層的MONOS ( Metal Oxide Nitride Oxide Semiconductor金屬氧化物氮化物氧化物半導體)存儲單元或NROM 存儲單元的半導體器件的技術(shù)。背景技術(shù)通過將非易失性存儲單元與邏輯用半導體器件混裝在相同的硅 襯底上，可實現(xiàn)高性能的半導體器件。這些作為內(nèi)置式微型計算機而 廣泛應(yīng)用于工業(yè)用機械、家電用品、汽車搭載裝置等。通常，該微型 計算機所需的程序...
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