技術(shù)編號：6900366
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶態(tài)半導(dǎo)體相二硅化鐵((3-FeSi2)光電薄膜的制備方 法，特別涉及到用于光電器件的p-FeSi2薄膜的制備方法，背景技術(shù)在世界石油資源日益枯竭的今天，人類加大了尋找和利用可再生 能源的力度。在可再生能源中，太陽能是大自然賜予人類最清潔，最 豐富的能源資源。近年來，全世界的光伏產(chǎn)業(yè)得到了迅猛的發(fā)展，太 陽能電池方面，已經(jīng)經(jīng)歷了以硅片為基礎(chǔ)的"第一代"太陽能電池到 低成本的"第二代"薄膜太陽能電池，現(xiàn)在已經(jīng)開始研制"第三代" 高轉(zhuǎn)換效率的薄膜太陽...
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