技術(shù)編號(hào):6901302
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種包含一硅貫通電極(Through-silicon via; TSV)的集成電路及形成該集成電路的方法。 背景技術(shù)自從集成電路發(fā)明后,半導(dǎo)體工業(yè)即開始因?yàn)楦鞣N電子元件(如晶體管、 二極管、電阻、電容等等)集成密度的提升而持續(xù)地快速成長(zhǎng)。集成密度的 提升是由于最小線寬在技術(shù)演進(jìn)下持續(xù)地下降,使更多的元件可以被集成入 一個(gè)芯片區(qū)之中。上述的集成密度的改進(jìn),著重于二維平面上,因?yàn)殡娮釉桥帕性诎?導(dǎo)體晶片的表面上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。