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技術(shù)編號(hào)：6901311

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種通過(guò)移除頂角處的SiN線(xiàn)性結(jié)構(gòu)來(lái)改 善STI凹槽的上角邊緣厚度的方法。背景技術(shù)如圖1所示，傳統(tǒng)的淺溝渠隔離(shallow trench isolation, STI)制程即STI蝕 刻+SiN線(xiàn)性結(jié)構(gòu)，在該制程中，作為線(xiàn)性結(jié)構(gòu)的SiN薄層會(huì)延伸至頂角2處，在后續(xù)的厚層 硬式罩幕層SiN(hard mask SiN，HM SiN) 1去除過(guò)程中，磷酸會(huì)侵蝕這一薄層，熱磷酸對(duì)SiN 和氧化物的蝕刻選擇比很高，尤其是頂角2...
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