技術編號：6901516
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及功率半導體裝置及其制造方法，并涉及一種減少照相制版工序、同時改善由于該工序的減少而引起的耐壓下降的技術。背景技術 傳統的功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor金屬氧化物半導體場效應晶體管)按如下所述的方法制造。首先，在n+型硅襯底上外延生長n-型硅層。接著，在上述外延層的主面上形成硅氧化膜(以下稱為“氧化膜”)。然后，利用照相制版術在氧化膜上形成光刻膠圖案，并以該光刻膠圖...
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