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技術(shù)編號(hào)：6901910

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本發(fā)明涉及一種采用高效熱載流子注入(hot carrier injection, HCI)對(duì)非 易失性存儲(chǔ)器(NVM)單元編程的方法和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)如圖1所示，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 10包括源極 13和漏極14 (分別連接到源電極13a和漏電極14a),源極13和漏極14的 每個(gè)都帶有與襯底15的雜質(zhì)類型相反的雜質(zhì)類型。源極13和漏極14被襯 底15中的溝道區(qū)域分開，該溝道區(qū)域在硅襯底15頂部上的電介質(zhì)層12上 形成的控制柵極11的...
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