技術(shù)編號：6901912
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其是涉及一種可以降低浮置柵極 之間干擾效應(yīng)的。背景技術(shù)隨著快閃存儲器的線寬的減少，用于形成隔離層的填充工藝的實(shí)施變得 更困難，并且發(fā)生在浮置柵極或控制柵極與溝道之間的干擾效應(yīng)也難以解 決。多個導(dǎo)體或一個導(dǎo)體與溝道之間的距離小導(dǎo)致干擾效應(yīng)。因此，當(dāng)線寬 變窄時，干擾效應(yīng)是不可避免的問題。參考圖1,在現(xiàn)有技術(shù)方法中，柵絕緣層11和用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層12a形成在半導(dǎo)體襯底10上。通過自對準(zhǔn)淺溝槽隔離(SA-STI)工藝形 成溝槽13。用絕緣材...
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