技術(shù)編號：6903476
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明屬于集成電路(IC)和微機電系統(tǒng)(MEMS)器件測量技術(shù)，具體涉及微納深溝槽結(jié)構(gòu)在線測量方法及裝置，該方法尤其適用于場效應管(MOSFETs)和動態(tài)隨機存儲器(DRAM)中深溝槽結(jié)構(gòu)加工過程深度及寬度的在線測量。 背景技術(shù) 在微電子和功率半導體器件設(shè)計與制造工藝過程中，目前廣泛采用了密集型三維結(jié)構(gòu)陣列，如在硅晶圓基底上沉積一層或多層薄膜結(jié)構(gòu)，再在基底上刻蝕線條溝槽陣列、圓孔或其他形狀溝槽陣列，然后用填充材料回填溝槽結(jié)構(gòu)，再重復以上刻蝕、填充步驟...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。