技術(shù)編號：6903577
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，特別是涉及一種半導(dǎo)體存儲器制 造過程中犧牲氧化層的去除方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體存儲器中，閃存(flashmemory)以其輕小以及非易失性(在斷電 情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)等優(yōu)點(diǎn)在便攜式電子產(chǎn)品上獲得了廣泛的 應(yīng)用。如，日常生活中常見的U盤，用于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)中的閃存卡等。在閃 存的制造工藝上，往往將半導(dǎo)體芯片分為存儲單元區(qū)(cell area)以及周邊電路 區(qū)(peripheral area),并結(jié)合兩個區(qū)的制作...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。