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技術(shù)編號：6903895

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Biplar Transistor, IGBT)及其制造方法。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Biplar Transistor, IGBT)是一種由MOSFET 與雙極型晶體管構(gòu)成的電壓控制型復(fù)合器件。它兼具兩種器件的優(yōu)點，既有MOSFET易于驅(qū) 動、開關(guān)速度快的特點，也有雙極型晶體管電壓較高、電流容量較大的特點。因此，絕緣柵雙 極晶體...
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