技術(shù)編號：6904822
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，并且特別涉及一種，該方法能在形成用于存儲節(jié)點(diǎn)接觸(storage nodecontact)的開口的工藝期間，防止因?qū)^緣層的損壞所導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件特性的退化。背景技術(shù) 已經(jīng)進(jìn)行了許多嘗試來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的高集成和高性能。尤其是，對于高集成，首要的是開發(fā)出在獲得接觸區(qū)的同時增強(qiáng)帶間填充特性的技術(shù)。圖1是示意性地顯示包括字線和位線的導(dǎo)電圖案的平面圖，所述字線用于形成位線。參考圖1，在一個方向上排列多個柵極電極，例如，字線W/L，在與字線W/L交...
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