技術(shù)編號：6905148
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片，具體涉及一種場效應(yīng)晶體管的外延層及其制造方法。 背景技術(shù)隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，場效應(yīng)晶體管等半導(dǎo)體器件已經(jīng)取得了廣泛應(yīng)用。場 效應(yīng)晶體管已經(jīng)成為最為常用的電壓控制器件之一。 如圖1所示，現(xiàn)有的場效應(yīng)晶體管包括柵極、源極和漏極(接觸層)，柵極與源極之 間設(shè)有介質(zhì)層ILD，源極和漏極之間設(shè)有導(dǎo)通電阻Rdson，導(dǎo)通電阻Rdson包括串聯(lián)在一起 的溝道電阻Rch、表面積累層電阻Ra、"頸"電阻Rjfet、外延層n-Epi的外延層電阻R印i...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。