技術(shù)編號：6905703
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一次性可編程存儲器、制造及編程讀取方法。背景技術(shù)目前，基于邏輯工藝的一次性可編程存儲器的設(shè)計主要采用動態(tài)隨機存儲器結(jié) 構(gòu)，利用晶體管的柵氧層的可擊穿特性來進行數(shù)據(jù)編程。這種一次性可編程存儲器的每個 單元都包括兩個晶體管，其中一個晶體管是用于輸入輸出的厚柵氧層晶體管，由于其柵氧 層較厚，因此具有較高的耐壓性能；另一個晶體管是用于芯片內(nèi)部電路的薄柵氧層晶體管， 由于其柵氧層較薄，因此很容易在較低的電壓下被擊穿。由于厚柵氧...
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