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本實(shí)用新型涉及一種平面型功率MOSFET器件，尤其是一種具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的平面型功率MOSFET器件，屬于超結(jié)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的。背景技術(shù)MOSFET器件是一種多數(shù)載流子器件，其具有雙極型器件所不具備的輸入阻抗高、 開關(guān)速度快的特點(diǎn)和優(yōu)勢。由于MOSFET沒有少數(shù)載流子存儲的問題，因此，其開關(guān)延遲特性主要是因?yàn)榧纳娙莸某潆姾头烹?。一般而言，評估功率MOSFET器件的寄生電容通常包括輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)、反饋電容(Crss)。輸入電容是柵源寄生...
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