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技術(shù)編號：6908013

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本實用新型涉及一種大功率MOS器件，特別涉及一種深溝槽大功率P型 MOS器件。這種MOS器件采用溝槽導(dǎo)電多晶硅保護(hù)環(huán)和溝槽導(dǎo)電多晶硅截 止環(huán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以在不影響器件性能(如特征導(dǎo)通電阻(SpecificRdson)、 耐壓、器件電容等)的前提下減少光刻版數(shù)量，從而降低器件的制造成本。 背景技術(shù)現(xiàn)代深溝槽大功率器件的基本要求是能夠耐高壓且大電流工作。其中，深 溝槽MOSFET通常是通過并聯(lián)大量的溝槽MOS單胞以實現(xiàn)大電流工作。但 是，對于高壓深溝槽MOS...
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