技術(shù)編號：6917121
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種新型半導體材料及制備方法，更確切地說是采用離子注入與鍵合技術(shù)，將多種半導體薄膜材料轉(zhuǎn)移到絕緣體或絕緣薄膜上，形成新型廣義的SOI材料。屬于微電子學領(lǐng)域。近年來，H、He注入后在半導體及一些壓電、鐵電材料中的行為被廣泛研究。實驗證明，H、He注入后的許多材料中，包括SiC、GaAs、GeSi、LiTaO3等，都有著與硅材料相似的現(xiàn)象一旦H、He劑量達到或超過臨界值，在一定的熱處理條件下，材料中的H、He再注入所形成的缺陷處聚集而形成氣泡并生長，...
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