技術(shù)編號：6919906
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體襯底上形成的在溝槽內(nèi)埋置柵極電極、將該溝槽的側(cè)面作為溝道區(qū)域的縱向型功率MOSFET的柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖1是表示現(xiàn)有的溝槽接觸型的UMOS的剖面圖，圖2是其平面圖。沿著圖2的I-I線部分的剖面圖為圖1。半導(dǎo)體襯底101例如使用p型硅襯底。半導(dǎo)體襯底101的表面區(qū)域上形成摻雜n型雜質(zhì)的n基極區(qū)域102。n基極區(qū)域102上形成成為半導(dǎo)體襯底101的主面的p源極區(qū)域103。未形成這些區(qū)域的半導(dǎo)體襯底的背面?zhèn)鹊膮^(qū)域?yàn)閜漏極區(qū)域101’。從半...
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