技術(shù)編號(hào)：6920954
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路、特別是使用了MOS晶體管的集成電路探 索高集成化的方向。隨著該高集成化，推進(jìn)在該高集成化中使 用的MOS晶體管的微型化直到納米領(lǐng)域。數(shù)字電路的基本電路 是反相器電路，但是當(dāng)推進(jìn)構(gòu)成該反相器電路的MOS晶體管的 微型化時(shí)，存在如下問題難以抑制漏電流，產(chǎn)生熱載流子效 應(yīng)的可靠性降低，另外在確保所需的電流量的要求之下根本無 法使電路的占有面積縮小。為了解決上述問題而提出了 一種源 極、柵極、漏極被配置在村底的垂直...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。