技術(shù)編號(hào):6920957
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對(duì)被處理體供給使液體材料氣化的氣體材料,進(jìn)行成膜處理的技術(shù)。特別是涉及使液體材料氣化的技術(shù)。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程之一,有在半導(dǎo)體晶片(以下稱做"晶片")W的表面上形成規(guī)定的膜的成膜工序,在該成膜工序中,將使液體材料氣化而得到的原料氣體作為成膜氣體導(dǎo)入裝置內(nèi)。作為用氣化所述液體材料得到的原料氣體進(jìn)行成膜處理的例子,有用氣化TEOS(TetraEthoxySilane)得到的處理氣體和氧氣(02)形成Si02膜的例子,也有用氣化Si2Cl6得到...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。