技術(shù)編號：6921987
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種能夠電氣地進行數(shù)據(jù)的改寫的三維地層疊了存儲器 單元的半導(dǎo)體存儲裝置。背景技術(shù)由于要求半導(dǎo)體存儲裝置的設(shè)計規(guī)則的縮小，細微加工逐漸變得困 難，為了提高存儲器的集成度，提出了很多三維地配置存儲器元件的半導(dǎo)體存儲裝置(專利文獻1 ~ 3和非專利文獻1 )。 專利文獻l特開2003 - 078044號公才艮 專利文獻2美國專利第5， 599， 724號 專利文獻3美國專利第5， 707， 885號非專利文獻1 Masuoka et al" "No...
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