技術(shù)編號：6922890
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造磁性器件的方法、 一種制造磁性器件的裝置、及一種 磁性器件。背景技術(shù)利用巨磁(GMR)效應(yīng)和隧穿磁阻(TMR)效應(yīng)的磁阻元件的磁阻變化率 極高，由此應(yīng)用于磁性傳感器、磁性再生頭、及磁性存儲器之類的磁性器件中。具有約6 15層人工晶格結(jié)構(gòu)的磁阻元件包括具有可旋轉(zhuǎn)自發(fā)磁化方向的 自由層、具有固定自發(fā)磁化方向的固定層、設(shè)置在固定層與自由層之間的非磁 性層、及包括相對于固定層的單方向各向異性的反鐵磁層。已知的反鐵磁層包括錳銥(Mnlr)薄膜和鉑錳...
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