技術(shù)編號(hào):6922911
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例一般是關(guān)于半導(dǎo)體處理,具體而言,本發(fā)明的實(shí)施例是關(guān)于發(fā)光 二極管(LED)結(jié)構(gòu)的形成。背景技術(shù)在制造發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)時(shí),可能形成"LED堆迭"的外延 結(jié)構(gòu),例如,"LED堆迭"包括P摻雜GaN層及N摻雜GaN層。圖1是一示意圖,說(shuō)明現(xiàn)有的LED 元件102的一例,其具有N摻雜層106和P摻雜層IIO,此兩層被多量子井(multi-quantum well, MQW)層108隔開(kāi)。 一般來(lái)說(shuō),元件1...
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