技術(shù)編號:6923363
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,制造半導(dǎo)體器件的方法,高載流子遷移率晶體管和發(fā)光器件。具體地,本發(fā)明涉及降低與半導(dǎo)體層歐姆連接的電極的接觸電阻的半導(dǎo)體器件,制造 該半導(dǎo)體器件的方法,高載流子遷移率晶體管和發(fā)光器件。背景技術(shù)B. Jacob等的"AlGaN/GaN FET結(jié)構(gòu)體上的Ti/Al/Ni/Au歐姆接觸的最優(yōu)化 (Optimization of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on AlGaN/GaN FETstructures)"...
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