技術(shù)編號(hào):6923712
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及BAW(體聲波)諧振器領(lǐng)域。背景技術(shù)壓電諧振器常用于信號(hào)濾波和基準(zhǔn)振蕩器。這些諧振器通常被稱為BAW(體聲波諧振器)。相同或相似器件的其他縮寫(xiě)包括FBAR (膜體聲波諧振器)或SMR (固態(tài)裝配型諧振器)或TFR(薄膜諧振器)或SCF(疊層晶體濾波器)。 在限制能量損失方面諧振器必須盡量高效。這些器件并不是新出現(xiàn)的并且在文獻(xiàn)中被很好的引證。 標(biāo)準(zhǔn)IC制備方法被用作基本制造順序,包括沉積、光刻和蝕刻工藝。也可以采用MEMS技術(shù)以進(jìn)行封裝和與襯底進(jìn)行...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。