技術(shù)編號：6924666
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明述及一種金屬-鐵電體-金屬-基片(MFMS)的場效應(yīng)晶體管(FET)和一 種鐵電體存儲設(shè)備，具有結(jié)構(gòu)簡單的特點和優(yōu)良的數(shù)據(jù)保留特性。背景技術(shù)目前，針對利用一種鐵電體材料來獲得一種晶體管和一種存儲設(shè)備的廣泛研究已 經(jīng)持續(xù)地取得進展。圖1是一個橫斷面圖，顯示利用一種鐵電體材料的一個金屬-鐵電 體-半導(dǎo)體(MFS)鐵電體存儲設(shè)備的一個典型結(jié)構(gòu)。如圖1所示，源區(qū)和漏區(qū)2和3形成在一個硅基片1的預(yù)定的區(qū)域，一個鐵電 體層5形成在源區(qū)和漏區(qū)2和3之間的一個溝道區(qū)...
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