技術編號：6924778
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種只讀存儲器(Read Only Memory，ROM)的制造方法，且特別是涉及一種掩膜式只讀存儲器(Mask ROM)的制造方法。一般掩膜式只讀存儲器的結構是將復晶硅字線(Word Line，WL)橫跨于位線(Bit Line，BL)之上，而位于字線下方以及位線之間的區(qū)域則作為存儲胞的信道區(qū)。對部分工藝而言，掩膜式只讀存儲器即以信道中離子注入與否，來儲存二進制數(shù)據(jù)「0」或「1」。其中，注入離子到指定的信道區(qū)域的工藝又稱為編碼注入(Coding...
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