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技術(shù)編號(hào)：6925462

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相關(guān)申請(qǐng)的參考本發(fā)明要求享有于2007年12月19日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第61/014，871號(hào)的優(yōu) 先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此，作為參考。背景技術(shù)本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體而言，涉及形成具有寬上部和窄下部的溝道的方法。在半導(dǎo)體工業(yè)中，諸如功率溝道MOSFET和IGBT的功率溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 是眾所周知的。功率溝道FET的其中一種為垂直傳導(dǎo)的溝道FET，圖1中示出其簡(jiǎn)化的截面 圖。MOSFET 100具有每個(gè)都包括通過(guò)柵極電介質(zhì)110與主體區(qū)114絕...
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