技術(shù)編號：6926377
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于GaAs晶片的機(jī)械化學(xué)粗拋光溶液和一種機(jī)械化學(xué)粗拋光方法。 背景技術(shù)GaAs由元素周期表中IIIA族元素鎵(Ga)與V A族元素砷(As)化合而成，是繼鍺、 硅后發(fā)展起來的一族重要半導(dǎo)體材料。砷化鎵晶體的一些性能比鍺、硅更優(yōu)越，例如，其電 子遷移率約為硅的6倍，可在更高的頻率下工作，是制造高速集成電路和高速電子器件的 理想材料。砷化鎵單晶片主要應(yīng)用于微波和毫米波通信領(lǐng)域，如移動電話、衛(wèi)星廣播、雷達(dá) 系統(tǒng)及其他國防尖端電子產(chǎn)品。因其良好的光...
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