技術(shù)編號：6926390
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明整體上涉及集成電路，更具體地涉及形成具有多晶硅柵的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件以及具有金屬柵的MOS器件。背景技術(shù)互補金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件已經(jīng)成為形成集成電路中的基本邏輯基礎(chǔ)材料。在傳統(tǒng)的集成電路工藝中，柵電極通常由多晶硅形成。多晶硅被廣泛應(yīng)用的原因之一是容易通過摻雜不同的雜質(zhì)對多晶硅柵電極的功函數(shù)進行改變。然而，多晶硅具有耗盡問題，因此引入金屬柵電極，特別是用于核心區(qū)的MOS器件，以避免多晶硅耗盡現(xiàn)象。通過采用金屬柵，核心MOS器件、輸...
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