技術(shù)編號(hào)：6926805
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于。 背景技術(shù)雙極性/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體元件/擴(kuò)散式金屬氧化物半導(dǎo)體元件(BCD) 技術(shù)，通常需要至少18到20個(gè)光刻掩膜才能制造出一個(gè)已知高壓交流-直流 轉(zhuǎn)換器，且其必須承受超過450V的電壓。如熟悉本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，越多 掩膜及相關(guān)工藝，會(huì)增加芯片制造成本。利用較多的光刻工藝，亦表示完成 結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，且容易出錯(cuò)。因此，本領(lǐng)域需要的是一種利用較少光刻掩膜， 制造高壓交流-直流轉(zhuǎn)換器的新穎方法。再者，在整合型交流-直流轉(zhuǎn)換器的已知設(shè)計(jì)中，通...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。