技術(shù)編號：6926861
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是涉及一種應(yīng)用于非揮 發(fā)性記憶體的隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)硅的區(qū)域氧化法(L0C0S)是傳統(tǒng)的隔離技術(shù)。首先一非常薄的氧化硅層 12生長在晶圓10上，即所謂的村墊氧化物。接著沉積一層作為氧化阻障層 的氮化硅14。圖案轉(zhuǎn)移是藉由光刻術(shù)進行。光刻后，圖案是蝕刻進入氮化 物14。結(jié)果是如圖1中的(a)所示的氮化物掩模，其定義氧化工藝的有源區(qū) 域。下一步驟為該LOCOS工藝的主要部分，熱氧化物12a的生長(見圖1中 的...
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