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技術(shù)編號(hào)：6926991

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本發(fā)明涉及，以將多個(gè)半導(dǎo)體 開(kāi)關(guān)元件重疊的方式配置，并且一體地進(jìn)行樹(shù)脂密封，由此，縮小安裝 面積。背景技術(shù)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管)或 功率MOSFET等是被廣泛使用于電力的轉(zhuǎn)換或馬達(dá)控制的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān) 元件。作為使用了半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件的裝置的一例，參照?qǐng)D25對(duì)使用IGBT 的三相交流反相器電路(inverter circuit)進(jìn)行說(shuō)明。三相交流反相器電路301具備U相302、 V相30...
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