技術(shù)編號：6927442
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及 其制造方法，其中浮體存儲器形成為垂直柱狀。背景技術(shù)因為未來的發(fā)展朝向較高集成度、較快操作速度以及降低的功耗的半導(dǎo) 體器件，已經(jīng)進行了研究針對可以穩(wěn)定地進行期望操作的半導(dǎo)體器件。作為 研究的結(jié)果，已揭示了一種浮體存儲器，其中多個載流子在浮體中充電而不需使用電容器來改變晶體管的閾值電壓(vt),使得浮體存儲器可以寫入和讀取數(shù)據(jù)。在上述浮體存儲器中，如果當將高的正電壓電位施加到漏極時產(chǎn)生熱載流子，則...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。