技術(shù)編號：6928675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體發(fā)光器件及其制作方法，尤其涉及一種外延生長用 的圖形襯底及其制作方法。 背景技術(shù)ni-v族化合物半導體材料在發(fā)光二極管、半導體激光器、探測器，及 電子器件方面有著廣泛的應用。由于同質(zhì)的外延襯底制備困難，以氮化鎵(GaN)材料為主的III-V族氮化合物一般采用異質(zhì)外延生長的方法進行制 備。襯底材料及其表面特性對于異質(zhì)外延的GaN等III-V族氮化合物的晶 體質(zhì)量影響很大。目前，由于藍寶石(A1203)和碳化硅(SiC)襯底具有高溫穩(wěn)定性，優(yōu)良...
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