技術(shù)編號：6928848
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，涉及一種電阻轉(zhuǎn)換存儲器，尤其涉及一種三維立體堆疊的 電阻轉(zhuǎn)換存儲器；此外，本發(fā)明還涉及上述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲器的制造方法。背景技術(shù)數(shù)十年以來，存儲器的密度隨著摩爾定律的發(fā)展不斷提升，海量信息的需求繼續(xù)驅(qū)動著 高密度存儲器的發(fā)展，除了對半導體技術(shù)節(jié)點進行提升，制造立體多層的存儲器結(jié)構(gòu)也成為 提升存儲器密度的重要發(fā)展方向。相變隨機存儲器的原理是基于器件中相變材料的可逆相變造成的電阻的可逆轉(zhuǎn)變，利用 相變材料在高、低電阻之間的轉(zhuǎn)變實現(xiàn)數(shù)...
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