技術(shù)編號：6928916
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及淺溝槽及其制造方法和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展方向?yàn)樵黾用芏扰c縮小元件。在集成電路制作中，隔離結(jié) 構(gòu)是一種重要技術(shù)，形成在硅基底上的元件必須與其他元件隔離。隨著半導(dǎo)體制作技術(shù)的 進(jìn)步，淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation,STI)技術(shù)已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件 制作所采用的如局部硅氧化法(LOCOS)等其他隔離方法。 現(xiàn)有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法一般包括在高溫氧化爐管內(nèi)氧化硅晶圓...
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