技術編號：6928969
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及一種高 In組分多種成分的InGaN/GaN量子阱結構的LED的制造方法。背景技術GaN基III-V族氮化物是重要的直接帶隙的寬禁帶半導體材料。GaN基材料具有優(yōu)異的機 械和化學性能，優(yōu)異的光電性質，室溫下其帶隙范圍從0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)，發(fā)光波長 涵蓋了遠紅外，紅外，可見光，紫外光，深紫外，GaN基材料在藍光，綠光，紫光及白光二極 管等光電子器件領域有廣泛的應用背景。近幾年GaN基藍光LED的量子效率獲得重大...
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