技術(shù)編號：6928971
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，尤指一種MOS晶體管的形成方法及其閾值電壓 調(diào)節(jié)方法。背景技術(shù)目前，由于集成電路的集成度越來越高，器件的尺寸越來越小，器件的特征尺寸 (CD)從0. 13μπι向0. ΙΟμπι以下的區(qū)域進行開發(fā)。隨著半導體器件向高密度和小尺寸發(fā) 展，金屬一氧化物一半導體(MOS)器件是主要的驅(qū)動力。閾值電壓(Vt)和驅(qū)動電流(Id) 是MOS晶體管的兩個重要的電參數(shù)，也是在制造工藝中的重要控制參數(shù)。不同的核心電路 (Core)和輸/入/輸出電路(I...
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