技術(shù)編號(hào)：6929556
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種功率MOS晶體管的制造方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)的MOS晶體管，其柵極、源極和漏極在同一水平面上(即水平溝道)， 此種結(jié)構(gòu)在制造時(shí)非常方便，但因源極和漏極之間距離太近而無(wú)法滿足大功率 晶體管的需求，為了滿足大功率晶體管的需求，20世紀(jì)70年代末出現(xiàn)了具有垂 直溝槽的MOS晶體管即功率MOS晶體管，其不僅繼承了水平溝道MOS晶體 管輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小等優(yōu)點(diǎn)，還具有耐壓高、工作電流大、輸出功率高、 開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如今功率MOS...
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