技術(shù)編號(hào)：6929557
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種功率MOS晶體管的制造方法。背景技術(shù)當(dāng)今功率MOS器件已成為功率器件發(fā)展的主流，由于對(duì)于功率器件具有大 電流及低開關(guān)損耗的要求，因此深溝槽型大功率MOS器件成為功率MOS器件 的主流。隨著功率MOS器件更多的應(yīng)用到通訊設(shè)備、個(gè)人便攜式電子設(shè)備上，對(duì)于 功率MOS器件可靠性能的要求也逐漸提高。在工藝技術(shù)上，需要不斷縮小原胞 的尺寸，提高原胞集成度。請(qǐng)參見圖1，其所示為現(xiàn)有技術(shù)中深溝槽大功率MOS晶體管的主要制造工 藝流程圖S...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。