技術(shù)編號：6929751
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種快閃存儲器，尤其涉及一種電荷陷阱單元(S0N0S)快閃存儲器及 其形成方法。背景技術(shù)通常，用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器，易失 性存儲器易于在電源中斷時丟失其數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器即使在供電電源關(guān)閉后仍能保 持片內(nèi)信息。與其它的非易失性存儲技術(shù)(例如，磁盤驅(qū)動器)相比，非易失性半導(dǎo)體存儲 器具有成本低、密度大的特點。因此，非易失性存儲器已廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域，包括嵌入 式系統(tǒng)，如PC及外設(shè)、電信交換機、蜂窩電話、網(wǎng)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。