技術(shù)編號(hào)：6929965
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的 方法。背景技術(shù)隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展，半導(dǎo)體的制造 工藝涉及一種大馬士革結(jié)構(gòu)的形成方法。圖1-圖7為大馬士革結(jié)構(gòu)形成方法的工藝結(jié)構(gòu) 剖面示意圖，大馬士革結(jié)構(gòu)形成方法包括如下步驟步驟101，參見(jiàn)圖1，采用物理氣相沉積工藝(PVD)在晶圓的金屬層101上沉積第 一阻擋層102，第一阻擋層102 —般為氮化硅(SiN)。步驟102，參見(jiàn)圖2，采用PVD在第一...
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