技術(shù)編號：6930032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種在溝槽底部制作 厚氧化層的方法。背景技術(shù)溝槽結(jié)構(gòu)被廣泛用于功率電子器件，如M0S管(M0SFET，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場 效應(yīng)晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等。和平面型器件相比，溝槽型器件將導(dǎo)通 通道從硅片的表面轉(zhuǎn)移到了硅片的垂直方向，因此能在單位面積上集成更多的單元，從而 使導(dǎo)通電阻大大降低，減小了功耗。目前的M0S管和IGBT已經(jīng)越來越廣泛的采用溝槽型器 件。請參閱圖1，這是傳統(tǒng)的溝槽型...
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