技術(shù)編號：6930849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及微電子，特別是涉及一種鎢釹合金納米晶浮柵結(jié)構(gòu)及其制備 方法。背景技術(shù)浮柵式非易失存儲器是目前被大量使用和普遍認可的主流非易失存儲器，被廣泛 應用于電子和計算機設(shè)備。傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu)存儲單元由于結(jié)構(gòu)與材料的限制，致使快 速寫入/擦除操作的要求和長期穩(wěn)定存儲的需求之間產(chǎn)生了嚴重矛盾。且隨著特征尺寸 的縮小，此矛盾更加顯著。隨著特征尺寸推進至納米級，在縮小存儲單元、提高存儲密度的同時提高存儲數(shù)據(jù) 讀寫、擦除和保持性能，已經(jīng)成為目前浮柵存儲單元發(fā)展面臨的關(guān)...
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