技術編號：6931506
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種提高太陽電池用非晶氫化碳氮化硅薄膜鈍化性能的熱處理 方法。 背景技術表面鈍化技術在太陽電池的發(fā)展中起著相當重要的作用。迄今為止，己發(fā) 展了多種太陽電池鈍化膜，如熱氧化Si02膜，離子沉積SiCb膜，等離子增強 化學氣相沉積法(PECVD)沉積SiNj莫，除了這幾種介質(zhì)膜外，還有PECVD 沉積的非晶摻雜半導體(如a-Si)也有類似的效果。在這幾種膜中，SiOJ莫和 (x-Si膜不具備減反射性能，而SiNx膜雖兼具了鈍化與減反射作用，廣泛應用于...
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