技術(shù)編號:6933069
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的制造方法,尤其涉及III族氮化物膜的制造方法。背景技術(shù)在最近幾年,由于IE族氮化物(group-III nitride)(—般稱作ffl氮化物 (IE-nitride)或HI氮(in-N))化合物,例如氮化鎵(GaN)及其相關(guān)的合金在電子 或光電元件中的前景應(yīng)用而被積極的研究。可能的光電元件的特別例子包括 藍光發(fā)射二極管及激光二極管,以及紫外光光檢測器(ultra-violet photo-detector)。 IE氮化合物的高能隙及...
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