技術(shù)編號：6933076
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法以及襯底處理裝置。 背景技術(shù)為了制造半導(dǎo)體器件，進行利用CVD( Chemical Vapor Deposition 化學氣相沉積)法或ALD ( Atomic Layer Deposition原子層沉積) 法在低溫下在半導(dǎo)體襯底上形成電介質(zhì)膜、金屬氧化膜等薄膜。然而，在低溫(600。C以下)形成的薄膜中，出現(xiàn)蝕刻速度的增 大(檢驗?zāi)べ|(zhì)時，對所生成的膜進行蝕刻來評價，若是不致密的膜， 則蝕刻速度變大)、實施高溫處理時的膜收縮等...
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