技術(shù)編號(hào)：6933227
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，該方法能夠抑制晶體 管特性偏離設(shè)計(jì)特性。背景技術(shù)已知日本特開專利公布No.2002-289847中描述的高壓MOS晶體管 的一個(gè)示例。如圖7中的截面圖所示，將晶體管形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層300中，并且具有柵絕緣膜330、柵電極340以及用作源區(qū)和漏區(qū)的 第二導(dǎo)電型的高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層370和低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層360。柵絕緣 膜330和柵電極340位于溝道形成區(qū)380的上方。形成低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層 360，以便在深度方向和溝道長度方向上擴(kuò)展高濃...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。